sokol
Все убиваемое, и тиристоры, и мосфеты, и igbt. В низковольтной силовухе мосфеты предпочтительней, так как их "набор" существенно снижает тепловые потери, а грамотное управление ими близит к нулю их выход из строя.
Тиристор не имеет линейного режима, он либо включен либо выключен, по этому он сам себя как бы защищает от переходных процессов. Но зато имеет падением напряжения на p-n-p-n структуре, подобно диоду. Это от 0,7В при минимальных токах до 1-2В в импульсных режимах. По этому 1000А на тиристоре, это неизбежная киловаттная грелка. А если их несколько в мосте последовательно работают?
Мосфет же подобен резистору, и напряжение на переходе зависит от протекающего тока, и если их напараллелить кучу - потерь меньше. но ими нужно грамотно рулить - слишком медленное включение-выключение в режиме непрерывных токов приводит к локальному перегреву кристалла. Слишком же быстрое включение-выключение требует очень мощных драйверов затворов, на порядок ниже тока стока всего да с хорошим демпфированием резонанса, иначе плато миллера загоняет мосфет в автоколебания и активный режим + помехи в радиодиапазоне.
Проходил это. Понасобирал подводных камней, о которых не знал даже )
Короче, мосфеты лучше использовать до 200-300В, а выше 600-100В превосходство берут igbt и тиристоры. Но тиристоры мощные, и ижбт тоже, имеют большой по сравнению с фетами "токовый хвост", по этому на очень высоких частотах комутировать ими будет сложно. В троллейбусах там частота ШИМ единицы килогерц, а при уменьшении периода заполнения - понижается еще до пары сотен, так как невозможно сделать 1% ШИМ на ультразвуковой частоте