Нашёл хороший сайт с подбором IGBT-модулей(по нашему высокоамперных полевых транзисторов и сборок). Там справа есть ещё ссылки на специальные микросхемы управления электроприводами.

А попал на него наткнувшись на статью о новых транзисторах в линейке для электромобилей (перевод на русский).

Не открывается...

указанная статья April 28, 2011 - International Rectifier

http://www.infineon.com/cms/en/about-in ... rectifier/

см. OptiMOS™ 5го поколения ... пальчики оближешь
спалишь "ведро" таких ... будут правнуки выплачивать

http://www.infineon.com/dgdl?fileId=554 ... e5e7f7495c

_________________
... через тернии к звёздам

Параметри IRFP4668 з двох різних партій, різниця в часі 6 місяців.....

Oleg
Уменьшенная емкость говорит о малом размере "физического кристалла" транзистора что косвенно может служить доказательством подделки если судить о силовых ФЕТах

_________________
Evel EndurA, 62v 28Ah Jik,VOT EM-100s(new gen), QS90....

Добрый вечер.
Вижу знакомые картинки.Infineon.
Во первых ,позвольте поправить ТС, IGBT -это биполярный транзистор с изолированной базой.
С этими модулями силовой электроники знаком лет 10-15.
Современные драйвера управления этими модулями (IGBT ,MOSFET) уже адаптивные к разбросу параметров от экземпляра до экземпляра,но при выходе из строя силовой части ,как правило "горит" и предварительный каскад .В эпоху 2003-2008 г (отсутствия сегодняшнего интернета) ремонт силовой части производили вместе с заменой всей трехфазной схемы управления силовыми ключами.
Что касается подделок,то у меня сомнения,т.к. уменьшение любых емкостей в "не конденсаторе" -приветствуется (увеличивается быстродействие).Другое дело -разброс параметров .Это уже признак устаревшего оборудования (или неисправного ,или персонал .......).
P.S.Ремонт на "авось" таких устройств,действительно, приведет к значительным финансовым затратам.

_________________
Лучше сделать и жалеть, чем жалеть о том, что мог сделать и не сделал.
06 шесть сорок два 5 80 81 ,063 триста тринадцать 83 0четыре.

Цікавить ще одне питання взагалі по MOSFET і конкретно по irfp4668:
Вихід 2-drain "повторюе" вихід 4 (контактну площину, що приєднується до радіатора).
У більшості мені відомих схем використовують вихід 2, вихід 4 - ізолюють через прокладку від радіатора.
Але якщо радіатор мідний, чи є доцільним (технічно допустимим) використання радіатора як токопровідного контакту, не використовуючи при цьому вихід 2 ?

Вывод 2 и 4 это одно и тоже "подложка" , если есть возможность использовать 4 то противопоказаний нет

_________________
Evel EndurA, 62v 28Ah Jik,VOT EM-100s(new gen), QS90....

4-ре транзистора в паралель. Плата управления от Романтика. Двигатель на постоянных магнитах (на якоре).Сопротивление обмотки статора по постоянному току - 0,5 Ом. Напряжение батареи - 99,5 В. Проехал где 100 км в разных режимах и всё..... "Раскол" всех 4-х.... Радиатор (МЕДНЫЙ) - чуть тёплый......